电子束曝光机,可以实现20nm以下精度要求的微纳加工,兼容2-8英寸不同产品应用需求,可广泛应用于半导体、人工智能、生物医疗、科研开发等应用场景,适用于光栅、T形栅、超透镜超表面、微纳线孔等工艺。
主要技术指标:
- 样片尺寸:8/6/4 inch wafer
- 加速电压:100kV/50kV
- 最小束斑直径:≤8nm
- 主场尺寸:可至1000μm
- 主场拼接精度:≤±20nm
- 套刻精度:≤±20nm
- 最小线宽:≤10nm
- ***扫描频率:≥100MHz
- 束流稳定度:≤±0.6%/小时
- 束斑位置稳定性:≤50nm/小时
- 束流范围:100pA~100nA
- 曝光均匀性:≤±5%

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